1月12日，由中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的《半导体学报》发布了2022年度“中国半导体十大研究进展”。其中ng28南宫刘新风研究员团队与合作者的“超高热导率半导体-砷化硼载流子迁移率精准测定”成果成功入选。
刘新风研究员团队联合休斯顿大学包吉明团队和任志锋团队世界上首次精准测定了超高热导率半导体-立方砷化硼（c-BAs）单晶的载流子迁移率；立方砷化硼材料高的载流子迁移速率以及超高的热导率，表明该材料可广泛应用于光电器件、电子元件等领域，为其大规模应用指明了方向。该成果发表于《科学》杂志 (Science, 2022, 377: 433-436)。
图. 瞬态反射显微成像和立方砷化硼的载流子扩散。（A）实验装置示意图，激发波长为600 nm探测波长为800 nm；（B）不同时刻的瞬态反射显微成像（标尺1微米）；（C）典型的载流子动力学；（D）0.5 ps的二维高斯拟合；（E）不同时刻的载流子分布方差随时间的演化及载流子迁移率。
《半导体学报》于2020年首次启动“中国半导体十大研究进展”评选活动，旨在遴选、记录我国在半导体基础研究领域的年度标志性成果。三年来，该评选活动获得了广泛关注。
2022年，第三届“中国半导体十大研究进展”评选活动共有55项成果获得候选推荐资格。2023年1月，由248位半导体领域专家组成的评选委员会经过严格评审，评选出10项优秀成果荣膺2022年度“中国半导体十大研究进展”；10项成果荣获2022年度“中国半导体十大研究进展”提名奖。
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