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    设备详细介绍

    快速合金炉RTP

    Rapid Thermal Process Furnace

    发布时间:2013-01-25 | 【打印】 【关闭】

     

      型   号: RTP – 3

      功   能:

    • 基片的快速加热处理
      Rapid thermal process of wafers

      主要配置:

    • 载片(Wafers):直径小于150 mm的各种基片(up to 150 mm wafers)
    • 气体(Gas lines):Ar, N2
    • 光源(Light sources):1200 W×21只卤钨灯(1200W × 21 tungsten halogen  lamps)
    • 温度范围(Temperature range): 150~1000
    • 升温速率(Heating rate):0.01~ 100℃ / s

      

      技术特点:

    • 有效加热区大
      Large thermal zone
    • 温度稳定性和均匀性好
      Good temperature uniformity and stability

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