型　  号： SENTECH PTSA ICP-RIE ETCHER SI 500

  功　  能：

• 纳米硅的HBr刻蚀
  Nano- Si etching using HBr process
• 金属材料的刻蚀(百纳米至微米)
  Metal Etching (from 100 nanometers up to micrometers)
• 金属氧化物和高K材料薄膜的刻
  Metal oxides and high - k material films etching
• 有机聚合物和低K材料薄膜的刻蚀
  Polymers and low - k material films etching

  主要配置：

• 气体(Gas lines)：Cl₂、BCl₃、HBr、CHF₃、SF₆、Ar、O₂、N₂
• 基片(Wafer size)：Pieces, 50 and 100 mm wafers
• 温控(Temperature control)：温度稳定,且连续可调 (accuracy: ±1 ℃  , continuously controlled betwen –30 ℃  ～ 200 ℃　 )  

  技术特点：

• 纳米硅的刻蚀
  Nano- Si etching
• 各种性质不同材料的刻蚀
  Etching of different materials