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设备详细介绍

反应离子刻蚀系统

Reactive Ion Etching System

发布时间:2013-01-16 | 【打印】 【关闭】

 

  型   号: SENTECH Etchlab 200

            

  功   能:

  • 硅、氧化硅、氮化硅以及金属的刻蚀
    Etching of silicon, silicon oxide, silicon nitride and metals

  主要配置:

  • 气体(Gas lines):CF4、CHF3、Ar、O2、SF6
  • 基片(Wafer size):小于200 mm的各种基片(up to 200 mm wafers)
  • 射频电源功率(RF power):600 W 
  • 刻蚀选择比(Selection ratio):3:1
  • 不均匀性(Nonuniformity):< 3%

  技术特点:

  • 稳定性和重复性好
    Good stability and repeatability
  • 均匀性好
    Good uniformity

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