研究领域
课题组以各种光谱学手段（稳态和瞬态光谱）研究光和半导体材料相互作用，特别是微纳米尺度下半导体材料所表现出的特有性质，探索其背后的物理和化学机制，为高性能器件设计和制备提供重要指导以获取高性能的半导体原型器件。主要研究内容如下:
(3)半导体微腔强相互作用研究
(4)半导体材料非线性光学性质研究
(5)半导体材料表面等离激元耦合光学性质研究
仪器设备情况
(1)飞秒激光器部分
Chameleon, 80 Mhz, 800 nm, 3.5W, 680-1030 nm output
Opera solo, optical parametric amplifiers, 240nm-20,000 nm output
Astrella Ultrafast Ti:Sapphire Amplifier, 800 nm, 1 Khz, 7 W
(2)连续光激光器部分
405 nm, 473 nm, 514 nm, 549 nm, 633 nm, 785 nm, 1064 nm
(3)光谱仪和CCD部分
探测范围从紫外到近红外波段 350-1500 纳米
(4)角分辨光谱测量系统
(5)低温装置和设备
(6)瞬态吸收光谱测量系统
(7)微区荧光、吸收、散射、寿命光谱测量系统
(8)微区拉曼、荧光、二次谐波成像测量系统
(9)半导体材料制备和合成系统
